作者单位
摘要
中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621900
针对电源电路抗γ总剂量辐射性能评估问题,建立了元器件和电路的性能模型,并搭建测试电路对模型进行了测试。开展了辐照敏感关键元器件的γ总剂量辐照试验,获取了元器件关键参数随γ累积总剂量变化的实验数据,将参数变化规律注入模型,开展了电源电路抗辐射性能仿真,获得了电路关键特征参数输出电压随累积总剂量的变化规律。采用裕量与不确定性量化(QMU)方法对电源电路的抗辐射性能进行评估,并与电路实际辐照实验结果进行对比,结果表明,QMU评估结果与实际实验结果保持了较好的一致性。
抗辐射性能评估 建模 电路仿真 不确定性量化 裕量与不确定性量化 radiation hardness evaluation modeling circuit simulation uncertainty quantification quantification of margins and uncertainties (QMU) 
强激光与粒子束
2017, 29(11): 116003
李豫东 1,2,*汪波 1,2,3郭旗 1,2玛丽娅 1,2,3任建伟 4
作者单位
摘要
1 中国科学院 新疆理化技术研究所, 新疆 乌鲁木齐 830011
2 中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆 乌鲁木齐 830011
3 中国科学院大学, 北京 100049
4 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033
研制了中荷耦合器件(CCD)与互补金属氧化物半导体有源像素图像传感器(CMOS APS)辐射效应测试系统,用于研究CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应并准确评估器件的空间辐射环境适应性。该系统采用光机电一体化结构设计, 包括光电响应性能检测、光谱检测、控制及数据处理3个分系统, 可对器件的光电响应性能、光谱特性进行全面的定量测试与分析。系统的光谱分辨率为1 nm, 工作波段为0.38~1.1 μm。目前, 该系统与新疆理化所现有的辐照装置结合, 构成了光电成像器件辐射效应模拟试验与抗辐射性能评估平台, 已为国产宇航CCD与CMOS APS图像传感器的研制、空间应用部门的成像器件选型工作提供了多次考核评估试验。应用情况表明, 该系统可定量检测与评价CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应与抗辐射性能, 为深入开展光电成像器件的辐射效应研究提供了完善的试验研究条件。
辐射效应 抗辐射性能 CCD CCD CMOS APS CMOS APS radiation effect anti-radiation performance 
光学 精密工程
2013, 21(11): 2778

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