研究了超短脉冲激光照射下LiF晶体的破坏机理及其超快动力学过程,利用扫描电镜和原子力显微镜等测试手段,观测了飞秒激光照射下LiF晶体的烧蚀形貌。利用烧蚀面积与激光脉冲能量的对数关系确定了LiF晶体的破坏阈值,并利用非线性玻璃棒展宽脉宽,得到了800 nm激光作用下LiF破坏阈值对激光脉宽(50～1000 fs)的依赖关系;利用抽运探针超快探测平台,探测了LiF烧蚀过程中反射率的变化。采用雪崩击穿模型,并根据晶体材料反射率与材料的介电常量的依赖关系,通过数值计算,模拟了材料烧蚀阈值与脉宽的依赖关系及材料激发过程中反射率的变化关系。结果表明,理论结果与实验结果符合较好。讨论了飞秒激光照射下LiF晶体中导带电子数密度的变化规律,并解释了相应的实验结果。

从理论上和系统实验上阐述了一种新型全固化半导体激光抽运探针源。此抽运探针源利用激光增益开关控制的原理,通过控制直流偏置电流和射频驱动电流可产生两列重复频率在1 GHz左右,脉宽约为50 ps的激光脉冲序列,并且两脉冲序列间的时间延迟在200 ps范围可调。