1 广西大学资源环境与材料学院, 有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室, 广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西生态型铝产业协同创新中心, 南宁 530004
2 广西大学资源环境与材料学院, 有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室, 广西有色金属及特色材料加工重点实验室,广西生态型铝产业协同创新中心, 南宁 530004)
采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜, 研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电学性能。研究表明, InGaN薄膜为单晶结构, 沿［0001］方向择优生长, 薄膜表面光滑致密, In的原子含量为35%。霍尔(Hall)效应测试表明In0.35Ga0.65N薄膜呈n型半导体特性, 具有高的载流子浓度和迁移率及低的电阻率。I-V曲线分析表明In0.35Ga0.65N/p-Si异质结具有良好的整流特性, 在±4 V时的整流比为25, 开路电压为1.32 V。In0.35Ga0.65N/p-Si异质结中存在热辅助载流子隧穿和复合隧穿两种电流传输机制。经拟合, 得到异质结的反向饱和电流为1.05×10-8 A, 势垒高度为0.86 eV, 理想因子为6.87。
脉冲激光沉积 n-In0.35Ga0.65N/p-Si异质结 InGaN薄膜 整流特性 半导体 pulsed laser deposition n-In0.35Ga0.65N/p-Si heterojunction InGaN film rectification characteristic semiconductor
1 天津职业技术师范大学 电子工程学院, 天津 300222
2 天津职业技术师范大学 机械工程学院, 天津 300222
3 东京理科大学 物理系, 日本
利用磁控溅射方法制备了引入Na或Cu元素前后Si/NiO异质结。实验结果表明, Na元素引入后的Si/NiO∶Na异质结的整流特性最佳。 此时, Si/NiO∶Na异质结光学透过率可以达到70%, 这可能是由于Si/NiO∶Na异质结的结晶质量较优、薄膜内缺陷少所致。Si/NiO∶Na异质结I-V曲线的拟合结果显示界面态状态也会影响其整流特性。 而Si/NiO和Si/NiO∶Cu异质结都没能获得较好的整流特性, 可能是薄膜内缺陷增多所致。这一结论得到了XRD、SEM、AFM和UV结果的支持。
Na掺杂 Cu掺杂 异质结 整流特性 NiO NiO Na doping Cu doping heterojunctions rectifying property
1 天津职业技术师范大学 电子工程学院， 天津 300222
2 天津职业技术师范大学 天津市高速切削与精密加工重点实验室， 天津 300222
3 东京理科大学 物理系， 日本 东京
利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO∶Cu/ZnO异质pn结。 实验结果表明，氧含量对NiO∶Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。 相对于纯氩溅射，引入一定氧气(O2/(Ar+O2)比例为30%)后，NiO∶Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善。与此同时，NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光透过率也从40%增大到80%。这可能是由于氧气的轻量引入致使NiO∶Cu/ZnO异质pn结的结晶得到改善，薄膜内缺陷减少所致。进一步提高氧气含量，直到O2/(Ar+O2)比例至80%后，异质结的整流特性有所削弱，这可能是由于过多氧气的引入造成薄膜缺陷再次增多，进而影响到异质结的整流特性。这一结论得到了EDS、XRD、AFM和UV结果的支持。
Cu掺杂 异质pn结 磁控溅射 整流特性 NiO NiO Cu doping pn heterojunctions magnetron sputtering rectifying property
中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083
纳米级自开关二极管是一种通过破坏器件表面对称性来实现整流特性的纳米级新型晶体管。首先通过建立In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As纳米级自开关二极管的二维器件模型, 采用蒙特卡罗方法, 模拟了自开关器件的电子输运特性, 根据该器件模型研究了在不同几何结构参数条件下的自开关器件的电学特性, 并对影响器件电学特性的结构参数进行了仿真分析。结果表明, 器件的I-V特性强烈地受到导电沟道宽度、沟槽宽度、沟道长度和表面态密度的影响, 通过优化器件的结构参数可使器件获得更优越的整流特性。
纳米级自开关器件 蒙特卡罗 结构参数 整流特性 nanoscale self-switching diode (NSSD) Monte Carlo geometry parameter I-V characteristic
上海交通大学 电子信息与电气工程学院微纳电子学系,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室, 上海 200240
碳纳米管因具有良好的物理机械性能而得到广泛的研究,其最重要的应用之一是构建场效应晶体管(FET).文章提出并研究了一种非对称接触的单壁碳纳米管场效应晶体管(SWNT-FET),并对其电学特性进行了表征.在该器件中,SWNT被作为FET的沟道,两种不同功函数的金属被用来与SWNT形成肖特基接触;SWNT一端与低功函数金属Al形成源极,另一端与高功函数金属Pd形成漏极.该类器件可应用于下一代纳米集成电路中.
碳纳米管 肖特基接触 电子束光刻 碳纳米管场效应晶体管 整流特性 carbon nanotube Schottky contact electron beam lithography carbon nanotube field-effect transistor rectification characteristic
