作者单位
摘要
1 西安交通大学电子工程系, 西安 710071
2 西安电子科技大学微电子所, 西安 710071
提出了一种简便可行的SOI(Silicon on Insulator)无间距定向耦合光开关(BOA型——Bifurcation Optique Active)模型分析方法.采用等离子体色故效应分析了这种光开关的电学调制机理;而用pn结大注入效应分析开关的电学性质;并根据大截面单模SOI脊形波导理论和上述分析,设计了利用双模干涉机制工作的这种器件的结构参数和电学参数.
无间距定向耦合光开关 模型 
光学学报
1994, 14(12): 1324

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