有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在人工蛋白石空隙中填充了磷化铟(InP)晶体以改变这类材料的光学行为, 在选择了InP的生长条件的基础上进行了周期生长试验。利用扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见光谱(UV-Vis)对人工蛋白石晶体及其填充InP后的形貌和反射谱特性进行了分析。结果发现, 采用周期生长方式有利于InP在模板空隙中的填充, 且在反应时间相同的条件下, 反应周期数越多, InP在空隙中的填充率越高, 填充率增加反过来增大了二氧化硅球和空隙之间的折射率差, 从而可控地对所制备光子晶体光子带隙进行调制。实验表明InP具有较好的生长质量, 此项研究为制备三维InP光子晶体打下了基础。

制备了人工欧泊SiO₂光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO₂光子晶体模板中生长填充了InP晶体。实验研究了不同成核温度(300℃，350℃，400℃)对于生长填充InP的影响。扫描电镜和反射谱分析结果显示，温度对于InP在SiO₂光子晶体模板中的生长有重要影响。随着成核温度的升高，InP在SiO₂光子晶体模板中的填充率随之降低。

采用常压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)技术、三步生长法,分别以H2O和N2O为氧源,DEZn为Zn源,N2作载气,在c-Al2O3衬底上生长出了晶体质量较好的ZnO薄膜。用X射线双晶衍射(DCXRD)和光致发光谱对ZnO薄膜的结晶性能和光学性质进行表征。结果显示,ZnO倾斜对称面(10-12)的ω扫描半峰全宽为350″,表明ZnO薄膜结晶性能良好;低温10 K光致发光谱结果表明,N2O为氧源生长的ZnO膜和H2O为氧源生长的ZnO膜的发光特性明显不同,没有观察到与氢有关的中性施主束缚激子对应的3.331 eV双电子卫星峰(TES)。这一结果表明,用N2O为氧源生长的ZnO薄膜中不易引进氢杂质。