1 华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术广东省高校重点实验室, 广州 510631
2 华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所, 广州 510631
有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在人工蛋白石空隙中填充了磷化铟(InP)晶体以改变这类材料的光学行为, 在选择了InP的生长条件的基础上进行了周期生长试验。利用扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见光谱(UV-Vis)对人工蛋白石晶体及其填充InP后的形貌和反射谱特性进行了分析。结果发现, 采用周期生长方式有利于InP在模板空隙中的填充, 且在反应时间相同的条件下, 反应周期数越多, InP在空隙中的填充率越高, 填充率增加反过来增大了二氧化硅球和空隙之间的折射率差, 从而可控地对所制备光子晶体光子带隙进行调制。实验表明InP具有较好的生长质量, 此项研究为制备三维InP光子晶体打下了基础。
光学材料 光子晶体 人工蛋白石 有机金属化学气相沉积 光子带隙
华南师范大学光电子材料与技术研究所，广东 广州，510631
制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体。实验研究了不同成核温度(300℃，350℃，400℃)对于生长填充InP的影响。扫描电镜和反射谱分析结果显示，温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响。随着成核温度的升高，InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低。
光电子学 有机金属化学气相沉积 光子晶体 人工欧泊 温度 optoelectronics metal organic chemical vapor deposition photonic crystal artificial opal temperature
1 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631
2 国防科技大学光子晶体研究中心,长沙,410073
3 华南师范大学光电子材?嫌爰际跹芯克?广州,510631
制备了人工opal晶体模板,运用MOCVD方法在SiO2人工opal球体间填充了高折射率的InP晶体,选择了MOCVD生长InP的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显示,InP晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的InP的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较好的符合.
光子晶体 人工欧泊 光子带隙 MOCVD Photonic crystal Artificial opal crystal Photonic band gap MOCVD
