1 大连理工大学 微纳米技术及系统辽宁省重点实验室,辽宁 大连 116023
2 大连理工大学 精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁 大连 116023
为制备高纵横比的纳米硅尖,研究了掩模的偏转方向对硅尖形状的影响。设计了硅尖制备的工艺流程,采用KOH溶液湿法各向异性腐蚀(100)单晶硅的方法制备硅尖,根据实验结果和{411}晶面模型,分析了硅尖侧壁的组成晶面,讨论了掩模偏转方向对硅尖形状的影响,得到了制备高纵横比纳米硅尖的工艺参数。实验结果表明:当腐蚀溶液浓度和温度一定时,正方形掩模的方向并不影响快腐蚀晶面的类型,利用正方形掩模的偏转,可以制备出八面体和四面体的硅尖。当正方形掩模边缘沿〈110〉晶向时,在78 ℃、浓度为40%的KOH溶液中腐蚀硅尖,经980 ℃干氧氧化3 h进行削尖,可制备出纵横比＞2的八面体纳米硅尖阵列,硅尖侧壁由与(100)面夹角为76.37°的{411}晶面组成。
硅尖 各向异性 氧化削尖 掩模 silicon tip anisotropic etching oxidation sharpening mask
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
研究了在硅材料上利用MEMS (Micro-Electro-Mechanical System)的各向异性腐蚀技术制备闪耀光栅.采用氧化削尖工艺去除光栅制备过程中掩膜在闪耀面上留下的平台,得到一个连续的闪耀面;同时对闪耀面进行表面抛光,改善闪耀面的粗糙度,减小对入射光的散射.理论分析和实验测试证明,该工艺方法能够将MEMS闪耀光栅的衍射效率提高10%左右.
闪耀光栅 各向异性腐蚀 表面抛光 氧化削尖
