首次提出了采用Er-Ta共溅、高温退火的方法, 在硅基二氧化硅表面制备高掺铒氧化钽(Er:Ta2O5)薄膜。利用棱镜耦合仪分析了铒掺杂浓度对Er:Ta2O5薄膜的折射率的影响, 结果表明: Er:Ta2O5薄膜的折射率随着Er掺杂浓度的增加而略微降低, 且所制备的薄膜没有明显的各向异性。在此基础上, 成功制备出Er掺杂浓度分别为0、2.5、5、7.5 mol%的硅基Er:Ta2O5脊形波导, 波导在1 550 nm波段可实现单模传输, 通过截断法得到波导在1 600 nm波长处的传输损耗分别为0.6、1.1、2.5、5.0 dB/cm。在所制备的Er:Ta2O5薄膜中, 尽管没有发现Er2O3结晶析出, 但薄膜中的Er3+会影响Ta2O5晶体的结晶程度, 进而增加波导的传输损耗。最终文中制备的掺杂浓度为2.5 mol%的硅基Er:Ta2O5脊形波导通过980 nm激光泵浦, 在1 531 nm信号波长下达到了3.1 dB/cm的净增益。