自旋塞贝克效应是由(亚)铁磁体中的温度梯度引起自旋塞贝克电压信号的现象，目前已成为热自旋电子学研究的热点领域之一。本文采用反应磁控溅射工艺在Si衬底上沉积NiO薄膜，分别研究了溅射功率、氧氩比例、溅射气压、衬底温度对NiO薄膜微观结构和表面形貌的影响，实验中反应磁控溅射最适工艺条件为溅射功率110 W、氧氩比例0.15(O2 15 mL/min; Ar 100 mL/min)、溅射气压0.3 Pa、衬底温度400 ℃。研究了Si/NiO/Pt结构中温度梯度(温差)、磁场角度、NiO厚度变化和Pt厚度变化对自旋塞贝克电压的影响。结果表明，自旋塞贝克电压与温差呈简单的线性关系，温差越大测得的自旋塞贝克电压越高; 磁场角度与自旋塞贝克电压之间满足余弦函数关系式，即在0°和180°时所得自旋塞贝克电压最大，90°和270°时为零; 反铁磁性绝缘层NiO的厚度越大，所测得的自旋塞贝克电压信号越强; 顺磁金属层Pt的厚度越大，自旋塞贝克电压信号越弱。

通过电化学沉积法从N，N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液中制备出铜掺杂氧化镍电致变色薄膜，采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外可见分光光度仪(UV-vis)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、计时阶跃曲线(CA)和循环伏安曲线(CV)对所制备的薄膜进行了形貌、结构、光学以及电化学性能的观测和表征。通过对不同掺杂原子数分数、沉积电位以及沉积时间下所制备薄膜的光学性能的研究，得到了薄膜制备的优化工艺条件。结果表明，在室温下，当掺杂原子数分数比例为18、沉积电压为3.5 V和沉积时间为15 min时，薄膜具有最佳的电致变色性能，透射率差值最大可达到78.7%；Cu掺杂产生了具有纳米棒状结构的物质，经XRD证实为面心立方型NixCu1-xO；电化学测试结果显示薄膜的响应时间较短，且具有较好的循环寿命。

利用WO3和NiO的互补显色可以大大提高电致变色玻璃的变色效率。有关WO3薄膜的制备方法及其性能已有许多文献作了报道。已报道的NiOx薄膜常用金属镍的射频反应溅射或电子束反应蒸发方法制备。前者沉积速率较慢，电致变色响应速度及透射率变化范围均不如后者[1]。本文介绍的金属镍反应闪蒸方法无需电子束设备，所制备的G／ITO／NiOx系统在2MKOH溶液中的饱和着色和漂白的透射光谱测试表明，相对于人眼峰值响应（λ＝550nm）的透射率变化范围达60％以上，薄膜的电致变色响应速度、沉积速度也优于反应溅射工艺。