中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
用化学溶液沉积法, 以Al2O3为衬底在750℃温度下制备了锰钴镍铜Mn1.56Co(0.96-x)Ni0.48CuxO4系列薄膜.制备温度低于传统烧结工艺需要的温度(1100℃).采用X射线衍射(XRD)对所制备材料的结晶性能进行测量.结果表明, 在一定范围内随着铜组分的增加, 材料的择优取向发生变化, 结晶性能提高且保持立方尖晶石单相结构.根据Scherrer方程和XRD数据计算薄膜的晶粒尺寸, Cu含量的增加导致薄膜晶粒尺寸增大.扫描电镜(SEM)图验证了制备的薄膜材料均匀致密, 无裂痕.测量材料的变温I-V特性, 计算材料在295 K下负温度电阻系数α及其活化能和特征温度, 当Cu含量低时材料的α值较大, 随着Cu组分的增加, α由-4.12%下降到-3.29%.利用椭偏光谱仪(SE), 拟合材料在近紫外-可见-近红外波段的消光系数, 并初步指认消光系数峰.
X射线衍射 扫描电镜 特征温度T0 活化能E 椭偏光谱 消光系数k X-ray diffraction scanning electron microscope(SEM) characteristic temperature T0 activation energy E spectroscopic ellipsometry(SE) extinction coefficient
