首先分析了量子效率计算的相关理论,然后分析利用红外中波 InAs/GaSbⅡ类超晶格材料进行光伏探测器研制,在对器件进行电学性能测试及光谱响应测试基础上,利用理论分析和测试数据计算出研制器件的实际电流响应率,再将实际电流响应率与理论分析的电流响应率相比,同时消除芯片表面 SiO2钝化层光学透过率的影响,计算出器件对红外波段 2～6.m辐射响应的量子效率最高可达 35%,达到了国外同类型器件响应的量子效率指标。本文的研究为评价 InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器的光电转换性能提供了一种有效的方法。

电流响应率是紫外探测器的重要特性参数, 光敏芯片与读出电路芯片耦合成焦平面组件后, 不能通过测试焦平面组件直接得到电流响应率参数。对128×1 电容反馈互阻抗放大器(CTIA)读出电路芯片进行了系统的测试, 得到了读出电路的积分电容、源随器增益。同时, 采用自研的紫外探测器高精度定标测试系统, 分别对128×1铝镓氮(AlGaN)紫外探测器光敏芯片、128×1紫外焦平面探测器组件进行测试, 求得了从焦平面探测器推算电流响应率的方法。结果表明, 直接标定光敏芯片的电流响应率与测试焦平面组件间接推算的电流响应率基本一致, 相对偏差约5%。该方法简便、准确, 可以为综合评价紫外焦平面探测器的性能提供重要参数。