1 南京航空航天大学南京 210016
2 山东省潍坊市人民医院潍坊 261000
电离辐射会导致动物肠道的损伤,瓜氨酸在小肠上皮细胞内合成,同时被证明对肠道具有一定的保护作用。通过构建小鼠急性辐射致肠道损伤模型,设置正常对照组、单纯辐照组以及辐照加瓜氨酸组,研究瓜氨酸的辐射防护作用及机制。实验结果表明:在辐照后连续一周腹腔注射1 g?kg-1?d-1的瓜氨酸能够显著延长受照小鼠中位生存期,增加小鼠体重,显著降低小鼠血浆内毒素含量,提高黏着斑激酶(Focal Adhesion Kinase,FAK)和肠道紧密连接(Occludin)蛋白的表达水平,同时降低一氧化氮(Nitric Oxide,NO)和诱导型一氧化氮合酶(inducible Nitric Oxide Synthase,iNOS)的表达量。本实验证明:瓜氨酸可以通过改善受照小鼠肠道屏障完整性,改善肠道屏障功能,缓解亚硝化应激,对电离辐射小鼠肠道损伤具有保护作用。
电离辐射 肠道损伤 瓜氨酸 一氧化氮 Ionizing radiation Intestinal injury Citrulline Nitric oxide
强激光与粒子束
2024, 36(4): 043027
强激光与粒子束
2024, 36(2): 025012
强激光与粒子束
2024, 36(1): 013004
江苏大学物理与电子工程学院,江苏 镇江 212013
最近阿秒钟实验中的隧穿延迟现象引起了人们对电子隧穿过程的非绝热性和隧穿时间的讨论。在强场条件下电子的隧穿延迟通常可以用Keldysh参数来预测,然而在少周期含包络正交偏振双色激光场作用下,Keldysh参数对隧穿延迟时间的预测与数值模拟结果不符,此时电子隧穿初始动量与隧穿过程中消耗的能量是影响隧穿延迟现象的重要因素。因此,有必要对上述激光场作用下两种因素对瞬时电离概率的影响进行讨论。通过改变正交偏振双色激光场强比以及相位差的方式,将它们对隧穿延迟时间的影响差异化,实现了对隧穿延迟时间的调控。最后,通过比较两者随电离时间的变化规律确定了少周期含包络正交双色激光场中隧穿耗能在隧穿延迟时间影响因素中的主导地位。这些发现有助于量化分析非绝热隧穿延迟时间,并为调控超快非绝热隧穿电离过程提供新思路。
非绝热隧穿电离 隧穿延迟时间 虚时间方法 电离初始动量 隧穿耗能 激光与光电子学进展
2024, 61(5): 0532001
1 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京 100871
2 量子物质协同创新中心,北京 100871
3 极端光学协同创新中心,山西 太原 030006
超短激光脉冲的出现为人们研究原子分子内电子的超快动力学过程提供了重要的技术手段。强激光诱导原子分子的光电离过程是光诱导物理过程的基石,也是目前强场物理领域的前沿热点之一。本文重点综述了双波长圆偏振光场中分子电离动力学的研究进展。首先,介绍了研究强场分子电离动力学的半经典模型,给出了电离电子波包的相位和振幅分布。然后,介绍了利用双波长圆偏振光场测量H2分子和CO分子的电离动力学的研究,发现电离电子的振幅结构以及隧穿后电子受到的长程库仑势都会影响电子的动力学过程。此外,电子波包的相位结构也会包含在光电子的发射角中,这个初始相位编码了电子吸收光子而电离过程中的时域信息。最后,对新型阿秒钟在分子光电离过程中的应用进行了总结,并展望了未来复杂分子体系的应用前景。
原子分子物理学 强场光物理 隧道电离 多光子电离 分子半经典模型
1 西南交通大学 物理科学与技术学院 四川 成都 610000
2 西南交通大学 物理科学与技术学院 四川 成都 610000
利用量子S-矩阵理论, 研究了光电子末动量沿着强激光场的极化方向, 以及与场方向存在一定夹角时, He原子高阶阈上电离光电子能谱的类共振增强结构。研究发现: 光电子末动量不论是沿着场的极化方向还是与场的极化方向存在一定夹角时, 均会出现类共振增强结构, 且该结构出现的光强满足通道关闭(channel closing, CC)条件, 从而证实了空间类共振增强结构的通道关闭机制。同时, 结果表明在光强一定时, 随着光电子出射角度的不断增加, 类共振增强结构会逐渐向低能量方向移动; 而当光电子出射角度不变时, 随着光强的不断增加, 类共振增强和抑制现象会交替出现在光电子能谱中, 造成这些现象的可能原因是返回次数不同的量子轨道之间的相干叠加。进一步分析发现, 在光电子末动量与场的极化方向存在一定夹角时, 也会出现类似于沿着场方向的type-i和type-ii两种类共振增强结构。
强激光场 阈上电离 类共振增强 strong laser field above-threshold ionization resonance-like enhancement 量子光学学报
2023, 29(3): 030501
中国工程物理研究院 a.微系统与太赫兹研究中心, 四川成都 610200电子工程研究所, 四川绵阳 621999
双极型晶体管性能统计分布在电离辐射之后会发生变化, 从辐射前对称的正态分布转化为辐射后非对称的对数正态分布, 这一统计特性转化缺乏清晰的物理图像。为了从微观机理层次解释这一转化过程, 通过大样本定制晶体管电离辐射效应实验, 获得基极电流、界面陷阱电荷辐射前后的统计特性, 发现两者统计特性转化具有一致性。基于基极电流的解析物理模型分析发现辐射前后基极电流统计特性转化源自于界面陷阱电荷统计特性转化, 并基于中心极限定理给出了界面陷阱电荷辐射前后统计特性转化的物理解释, 即界面缺陷面密度的分散性转化源于多个随机变量以乘积形式实现界面缺陷物理过程。
电离辐射 双极型晶体管 统计特性 irradiation bipolar transistor statistical distribution 太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(12): 1513
红外与激光工程
2023, 52(11): 20230158