随着集成光路复杂度的增加, 需要在不影响系统正常工作的情况下, 在链路内使用光功率监测器对集成光路进行实时监测, 有效地进行器件行为分析。文章综述了硅基光功率监测器的最新研究进展。重点阐述了表面态吸收、双光子吸收、锗吸收以及缺陷态吸收机制下的光功率监测方案以及各自的优缺点, 最后详细讨论了利用缺陷态吸收机制实现光电转换的巨大优势。
硅基光电子器件 光功率监测器 光电探测器 silicon-based photoelectric device optical power monitor photoelectric detector
1 武汉光电国家实验室, 华中科技大学, 武汉 430074
2 乔治亚理工学院电子和计算机工程系, 亚特兰大 30332 美国
综述了硅基微纳激光器、调制器、探测器及光传输控制器件的最新研究进展。重点阐述了表面等离子体、量子阱、光子晶体及纳米光栅等新型结构在提高器件综合性能和降低器件尺寸方面的重大作用。同时, 还展示了用标准互补金属氧化物半导体(CMOS)技术, 实现硅基光子器件和电子器件在同一基片上微纳集成的巨大前景。
硅基光电子器件 微纳集成 激光器 调制器 探测器 纳米光栅
