作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京2006
2 南京国兆光电科技有限公司,南京11100
提出了一种可用于硅基OLED驱动芯片的温度反馈PWM调节电路。该电路能够根据温度变化自动对OLED阵列上的共阴极电压进行PWM调制,从而实现温度变化时,保持OLED微显示器屏幕亮度和灰阶特性不变。电路采用0.18 μm 1P6M混合信号工艺完成了电路设计和流片验证,仿真和测试结果表明,当温度从-25 ℃变化至70 ℃时,屏幕亮度与灰阶特征保持不变。研究解决了OLED微显示器屏幕亮度随温度变化,传统共阴极电压调节方案会改变OLED的灰阶特性的问题。
硅基有机发光二极管 微显示 温度反馈脉宽调制 OLEDoS microdisplay temperature feedback pulse width modulation 
光电子技术
2022, 42(1): 36
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京 210016
2 国家平板显示工程技术研究中心,南京 210016
为改善传统模拟驱动方式在调亮时会改变OLED灰阶特性的现象,提出了一种可用于硅基OLED驱动芯片的脉宽调制电路(Pulse Width Modulation,PWM)电路。该电路对加在OLED阵列上的共阴极电压进行PWM调制,从而达到在调节亮度时灰阶特性不变的目的。电路采用0.18 μm 1P6M混合信号工艺完成了电路设计和流片验证。仿真和测试结果表明,当亮度从100 cd/m2调节到500 cd/m2时,灰阶特征得到了明显的改善。
硅基有机发光二极管 微显示 脉宽调制电路(PWM) OLEDoS microdisplay Pulse Width Modulation(PWM) 
光电子技术
2020, 40(1): 44
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司第五十五研究所, 南京 210016
2 国家平板显示工程技术研究中心, 南京 210016
提出了一种可提高亮度均匀性的用于高分辨率硅基OLED微显示器的像素电路。该像素电路包含4个MOS管和1个电容(4T1C), 通过对不同像素驱动管之间的阈值电压(Vth)的差值进行补偿, 从而提高各个像素之间亮度均匀性。该电路采用0.18 μm 1P6M混合信号工艺完成了电路设计和仿真验证, 子像素面积仅为9 μm×3 μm, 像素密度达2 822 PPI。仿真结果表明, 在不补偿阈值电压的时候, 像素之间电流的偏差从-62.6 %变化到61.7 %, 补偿后, 像素之间电流的偏差从-14.8 %变化到11.8 %。
硅基有机发光二极管 微显示 像素单元电路 阈值电压 OLEDoS microdisplay pixel circuit threshold voltage 
光电子技术
2019, 39(4): 257
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司第五十五研究所, 南京 210016
2 国家平板显示工程技术研究中心, 南京 210016
设计了一款对角线尺寸1.96 cm、分辨率为1 280×1 024的硅基OLED微显示驱动芯片。通过温度检测电路来检测芯片的实时温度, 同时用温度检测电路的读数来控制RAMPDAC输出电压的峰值和斜率, 从而实现OLED亮度随温度变化的自补偿。芯片采用0.18 μm 1P6M混合信号工艺完成了电路设计和仿真验证。测试结果表明, 在-40 ℃到80 ℃温度区间内, 温度检测电路读数从0~255线性上升, RAMPDAC输出电压的温度灵敏度达到14 mV/℃。
硅基有机发光二极管 微显示 温度补偿 斜坡数模转换器 OLEDoS microdisplay temperature compensation RAMPDAC 
光电子技术
2019, 39(4): 248
殷照 1,2,*单寅 1,2陈建军 1,2秦昌兵 1,2杨建兵 1,2
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司第五十五研究所
2 国家平板显示工程技术中心,南京 210016
针对单绿高亮硅基OLED显示屏的特点,研究了其亮度调节电路,以满足高低温、宽范围亮度条件下的应用要求。选取2.4 cm单绿高亮硅基OLED作为显示屏组件,设计了具有温度-亮度补偿功能的宽范围亮度调节电路,并优化了调亮曲线,以满足高低温下亮度一致性的应用要求。最后进行了相应的光电测试,验证其有效性。
硅基有机发光二极管 亮度调节 亮度-温度补偿 OLED-on-silicon brightness adjustment temperature-brightness compensation 
光电子技术
2019, 39(2): 105
作者单位
摘要
上海大学微电子研究与开发中心, 上海 200444
提出了一种双帧数模融合扫描策略,优化了数字脉宽调制部分。设计了一种硅基有机发光二极管(OLED)微显示器驱动电路,该电路包括像素驱动电路,在帧频为60 Hz、灰度等级为256、分辨率为1920 pixel×3 pixel×1080 pixel的条件下,扫描效率可达99.22%,数据传输频率降低至23.328 MHz。结果表明,该像素驱动电路可有效减少漏电流,保证灰度精度,降低最小电流,并提高硅基OLED微显示器的对比度。
光学器件 光电器件 硅基有机发光二极管微显示器 双帧数模融合扫描策略 像素驱动电路 扫描效率 
激光与光电子学进展
2019, 56(9): 092302
作者单位
摘要
中航华东光电有限公司, 安徽 芜湖 241000
研究了一种为头盔显示器硅基OLED数字像源提供显示驱动功能的电路设计。以MICROOLED的1.55cm硅基OLED屏为研究对象, 进行头盔数字像源的显示驱动电路设计, 叙述了关键电路模块的设计原理及关键技术的实现。最后对实现的电路功能进行了测试和对比, 验证了其有效性。
硅基有机发光二极管 数字像源 电路设计 silicon-based OLED digital image source circuit design 
光电子技术
2018, 38(2): 132
作者单位
摘要
中国电子科技集团公司第五十五研究所, 南京 210016
设计了一款分辨率为1400×1050的OLED微显示器驱动芯片。利用10位的DAC将数字视频信号转成模拟信号, 内置10位计数器和数字比较器完成视频信号的传输, 内置温度检测、负压电源CUK电路、正压电源LDO以及I2C接口等模块电路, 可满足硅基OLED微显示器高集成度的需要。像素电路采用了改进的电压型驱动方式, 能够在较宽的OLED公共阴极电压范围内维持很大的电流比率。采用0.18 μm 1P6M混合信号工艺完成了电路设计和仿真验证, 仿真结果表明, 芯片在120M时钟频率下能够实现256级灰度, 输出OLED像素电流范围为11 pA~215 nA, 可以满足高分辨率OLED阵列高亮度和高对比度的要求。
硅基有机发光二极管 微显示 像素单元电路 OLEDoS microdisplay pixel circuit 
光电子技术
2016, 36(4): 265

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