采用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行了表面粗化处理。研究了粗化温度、粗化时间对LED外延片表面形貌的影响, 并利用原子力显微镜(AFM)、半导体芯片自动测试系统对LED器件的相关性能(形貌、IV特性曲线、亮度和主波长)进行了表征。比较了粗化前后的LED亮度和电流特性变化。测试结果表明: 利用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行表面粗化可以有效地抑制光在通过LED表面与空气接触界面时产生的全反射, 得到性能更好的器件。实验结果显示, 采用熔融态KOH, 在粗化温度为200℃、粗化时间为8min时, 能使制作的红光LED外延片发光效率提高30%。