1 厦门大学 萨本栋微米纳米科学技术研究院, 福建 厦门 361005
2 厦门大学 航空航天学院, 福建 厦门 361005
3 厦门大学 物理科学与技术学院, 福建 厦门 361005
化学机械抛光(Chemical & Mechanical Polishing,CMP)工艺已运用于微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System, MEMS)中, 并逐渐成为研制高品质微纳器件不可或缺的一道关键技术。区域压力调整、抛光终点检测等技术已经引入到CMP工艺, 确保片内不均匀性(Within-wafer Nonuniformity, WIWNU)小于5%, 同时有效减小“蝶形”和“腐蚀”等抛光缺陷。CMP在MEMS领域中的运用工艺过程更为复杂, 抛光对象更为多元, 表面质量要求更高。结合硅、介质层、石英、锗、铂和聚合物等自行开发的CMP工艺以及抛光后清洗处理, 详细讨论和阐述CMP工艺如何运用于MEMS领域。实验结果表明, 采用CMP工艺, 结合抛光液改进和兆声清洗, 不仅可以实现薄膜的全局平坦化, 而且可以获得高品质的超薄基底、无损的硬质应变薄膜和用于低温直接键合的表面粗糙度小于0.5 nm键合表面。CMP 技术是研制高品质的可应用于MEMS 器件的基底和薄膜的有效手段。
化学机械抛光 微机电系统 区域压力调整 终点检测 表面粗糙度 Chemical & Mechanical Polishing(CMP) MEMS adjustment of zone backing pressure end point detection surface roughness
1 重庆邮电大学光电工程学院,重庆,400065
2 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054
3 北京机械工业学院机械工程系,北京,100085
采用光学发射光谱(OES)原位检测技术,对等离子体刻蚀机中的等离子体状态进行实时监控,讨论了其在故障诊断、分类、刻蚀终点的判断及控制方面的应用.实验平台为在新研发的高密度等离子体刻蚀机,采用化学气体HBr/Cl2为刻蚀气体进行多晶硅刻蚀工艺实验,实验过程中所采集的OES数据通过PCA法进行分析,得到与刻蚀过程相关的特征谱线.实验结果表明:OES技术适合于深亚微米等离子体刻蚀工艺过程的终点检测及故障诊断.最后就OES技术未来发展面临的挑战进行了讨论.
等离子体刻蚀 故障诊断 终点检测 OES
