1 西南交通大学物理科学与技术学院, 成都 610031
2 西南交通大学超导与新能源研究开发中心, 成都 610031
MnBi2Te4是首次被发现的一种本征磁性拓扑绝缘体, 具有重要的研究意义。本文通过在MnBi2Te4晶体中进行稀土元素掺杂, 合成了Er掺杂MnBi2Te4晶体, Er原子进入晶格并取代Mn位。在晶体制备过程中, 考虑到目前晶体制备工艺周期较长, 生成物存在Bi2Te3助熔剂等杂质的问题, 对晶体制备工艺进行了优化探索。XRD测试结果表明, 利用改进工艺制备的Er掺杂MnBi2Te4晶体结晶性能良好, 不含杂质相。磁电输运测量结果显示, 少量Er掺杂MnBi2Te4晶体的磁性增强, 掺杂样品在25.2 K发生反铁磁相变。使用原子力显微镜对Er掺杂MnBi2Te4晶体层间距进行了研究, 发现层间距为单层MnBi2Te4的整数倍。通过拉曼测试研究了Er掺杂MnBi2Te4晶体声子振动模式, 结果表明, Er掺杂是调节MnBi2Te4磁性的一种可行方法。
反铁磁拓扑绝缘体 Er掺杂 结晶性 磁性 声子振动模式 MnBi2Te4 MnBi2Te4 antiferromagnetic topological insulator Er doping crystallinity magnetic property phonon vibration mode
以聚氧化乙烯为聚合物添加剂,采用不同比例的甲基溴化铵和溴化铅(Ⅱ)制备了复合材料薄膜,研究了不同比例对薄膜形貌、结晶性、光物理以及电致发光特性的影响,并探讨了复合材料中聚合物添加剂种类和含量对其特性的影响。结果表明,多层结构器件的最大发光效率(6.4 cd·A
-1)比单层结构器件的最大发光效率得到了显著提高。
光学器件 有机金属卤化物钙钛矿 聚合物 钙钛矿复合材料 发光器件 表面形貌 结晶性 激光与光电子学进展
2019, 56(3): 032301
1 吉林大学 电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012
2 长江师范学院 化学化工学院, 重庆 408100
为了详细地探究NaLuF4纳米晶的生长过程, 利用自主研发的可以精确控制实验参数的自动纳米合成仪制备了不同系列的NaLuF4∶Yb3+/Tm3+纳米材料。对不同反应温度下(285, 295, 305 ℃)制备的样品进行物相分析, 发现随着反应时间的增加, NaLuF4纳米晶均遵循相似的生长规律, 即α-相→α-相+β-相→均匀的β-相→聚集的β-相。在不同温度下, 均有一个时间段可以获得小尺寸(小于50 nm)、单分散、粒径分布窄的纯β-NaLuF4纳米晶。另外, 测试了不同温度下制备的β-NaLuF4∶Yb3+/Tm3+纳米材料的上转换发射光谱, 结果表明随着反应温度的升高, 样品的发光先增强后减弱。出现这种光谱规律可能是受晶体尺寸和结晶性两方面因素的影响。此外, 样品在紫外区的高阶多光子发光很强。例如, 361 nm发射峰强度大约是800 nm发射峰强度的2倍。
生长过程 小尺寸 结晶性 上转换发光 NaLuF4 NaLuF4 growth process small size crystallinity upconversion
1 长沙理工大学物理与电子科学系,长沙 410076
2 上海大学上海市应用数学和力学研究所,上海 200072
3 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室, 长春 130033
为进一步提高Y2O2S∶Eu3+的发光性能,采用改善主要原材料Y2O3结晶性的方法,使Y2O2S∶Eu3+红色荧光粉在20 kV和25 kV下发光强度分别增强5％和10％,且不影响色度、粒度、粉体分散性等主要考核指标。提高了粉体的耐电压特性(发射强度与激发电压间的关系特性)。讨论和分析了发射强度增强、电压特性改善的原因:主要原材料Y2O3的结晶性的改善,使得合成的Y2O2S∶Eu3+具有更好的晶体质量,Eu3+离子晶场环境得到进一步改善,从而减弱了无辐射过程及因晶格畸变所造成的能量损失,发光效率得到增强,电压特性得到改善。实验表明,获取高质量多晶Y2O3的最佳分解温度为1400 ℃左右。
光学材料 Y2O2S∶Eu3+荧光粉 Y2O3结晶性 发光强度 耐压性
