作者单位
摘要
华中科技大学 强电磁工程与新技术国家重点实验室, 武汉 430074
为建立有效的晶闸管模型来仿真晶闸管关断时过电压, 减小晶闸管过压损坏的概率, 以最大通流150 kA、耐压5.2 kV的脉冲晶闸管为研究对象, 将其前置于脉冲形成单元回路中作为大功率开关使用, 记录放电过程中晶闸管两端电压及电流。实验数据表明: 恢复过程中的电流下降率、反向恢复电荷、反向恢复电流峰值随通态电流峰值的增大而增大, 晶闸管关断时间随通态电流峰值的增大而减小。此外, 在关断过程中, 当电流下降率在-50~1000 A/μs时, 电流下降率与电流峰值为线性关系。因此, 在大脉冲电流条件下, 推导反向恢复过程参数与通态电流参数的关系时电流下降率可用与电流峰值的线性关系代替。基于Matlab仿真平台, 建立了具有反向恢复过程的脉冲晶闸管模型。该模型仿真得到的晶闸管反向恢复电流峰值与实测结果较为吻合, 反向恢复电压尚待进一步修正。
脉冲功率晶闸管 反向恢复特性 关断过电压 仿真模型 pulse power thyristor reverse recovery characteristics turn-off overvoltage Matlab Matlab simulation model 
强激光与粒子束
2016, 28(11): 115001
作者单位
摘要
株洲南车时代电气股份有限公司 电力电子事业部, 湖南 株洲 412001
简述了脉冲功率开关的发展及国内外脉冲功率晶闸管产品的现状,并详细介绍了国内的脉冲功率开关产品及其特点。阐述了脉冲功率晶闸管组件产品的设计与应用,以及半导体脉冲功率开关的测试试验平台。简要介绍了脉冲功率晶闸管及其组件在工程应用中的同步驱动、感应取能和串联均压等关键技术,并简述了脉冲功率晶闸管组件的工程应用实际效果。阐述了半导体脉冲功率开关及其测试试验平台的发展方向。
脉冲功率组件 脉冲放电 脉冲功率晶闸管 半导体开关 pulsed power pulsed power module pulse discharge pulsed power thyristor semiconductor switch 
强激光与粒子束
2012, 24(4): 771

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