采用脉冲电流注入 (PCI)技术, 对差分信号接收芯片(DS26C32ATM)的敏感阈值进行研究。试验结果表明, 随着脉冲源电压的增大, 传输线上的注入电流增大, 差分信号接收芯片接口电路受到电磁脉冲干扰, 发生损伤。对损伤芯片进行失效机理分析, 定位故障。针对失效机理分析结果, 对差分信号接收芯片进行加固防护研究。试验结果为后续差分芯片的抗电磁脉冲干扰的性能试验提供可靠依据。

分别研究了脉冲电流法、微小电流法和光学成像法测量氮化镓基LED结温的基本原理,并对比了不同方法的结果可靠性。结果表明: 在大脉冲电流下,串联电阻效应不可忽略,脉冲电流法得到的平均结温偏低; 微小电流法能够减小加热电流和测试电流的切换时间和串联电阻效应,提高测量准确性; 光学成像法基于发光强度与结温的依赖关系,能够获得器件温度的空间分布,有助于制备高性能的LED。

为了增强高能脉冲激光器的驱动效能、优化驱动电路的工程实现效果, 采用电路分析与仿真的方法, 对脉冲氙灯和脉冲形成网络的放电特性进行了理论分析和仿真验证, 取得了各影响因素与脉冲电流波形的相关度数据。结果表明, 脉冲电流波形的矩形度和工程实现的难度随节数的增加而增加, 理想节数在5附近; 波峰幅值随末链电感的减小而减小, 其加权值的理想取值点在0.8附近; 上升速度随首链电感增加而减小, 其加权值的理想取值区间为1.2~1.4。此研究有利于进一步推动高能脉冲氙灯驱动电路的工程应用及拓展。

基于随动进给脉冲电流增强激光熔覆技术在42CrMo合金结构钢基体表面制备了Ni60A镍基合金涂层,研究了脉冲电流对熔覆涂层的影响。结果表明:采用随动进给电极,利用脉冲电流的趋肤效应,将大部分电流引入熔池,提高了电流利用效率,且较近的电极距离大大提高了电流密度,增强了改善效果,有利于制备缺陷少、质量高的熔覆涂层;相对于传统激光熔覆,脉冲电流增强激光熔覆既能提高熔覆效率,又能细化熔覆层晶粒,降低孔隙率,并均匀熔覆层组织,使其由常规激光熔覆形成的枝晶转变成等轴晶;脉冲电流增强激光熔覆试样的孔隙率为0.39%,平均晶粒尺寸约为4 μm,优于常规激光熔覆的0.62%和6 μm;同时采用随动进给电极可以减少熔覆层残余热应力和开裂敏感性,特别是小电极距离特有的高能量密度脉冲电流在熔覆层裂纹尖端形成的绕流效应和焦耳热效应能够实现熔覆层裂纹的在线自愈合,获得无裂纹的熔覆层,从而解决了激光熔覆层易开裂问题。