1 证据科学教育部重点实验室(中国政法大学), 北京 100088
2 中国科学院半导体研究所, 北京 100083
在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25 μm长的区域进行氦离子注入，使p型GaAs获得高的电阻率，形成腔面电流非注入区，以此来提高腔面灾变性损伤(COD)阈值。常规条宽100 μm，含有19个发光单元的1 cm列阵激光器的COD阈值功率为30 W，而带有腔面非注入区的器件的最大输出功率达到了42.7 W，没有发生失效。
激光器 激光二极管列阵 腔面非注入区 激光与光电子学进展
2013, 50(11): 111404
