构建了氟化汞( ²⁰²Hg ¹⁹F)分子 ²Σ_1/2和 ² Π_1/2态的有效自旋转动哈密顿量,并计算了该分子基态的超精细结构及其在外电场中的斯塔克分裂和外磁场中的塞曼分裂。运用一阶微扰理论,计算模拟了g-因子在外电场中的变化。探讨了利用 ²⁰²Hg ¹⁹F分子N=1, J=1/2, F=1, M_F=±1 态测量电子电偶极矩的可能性(N、J、F为角动量量子数)。

在晶格密度泛函理论(LDFT)的框架内研究了哈巴德(Hubbard)模型,当考虑晶格内位置的单粒子密度矩阵γij、自旋S时,这个模型的相互作用能w[γij,S]为密度矩阵γij、总自旋S的函数.且当所有最近邻的γij=γ12时,对环状系统的叫[γij,S]可获得精确的数值计算结果;文中同时还讨论了ω[γij,S]函数在弱电子关联(γ012)和强电子关联(γ∞ij)以及在γ∞12＜γ12＜γ012区域限制下的性质.以非关联能加ω0[γ0ij,S]为单位标度的ω,[γij,S]表明的赝普适行为与g12=(γ12-γ∞12)/(γ012-γ∞12)函数一样.另外,ω[γij,S]函数对不同总自旋S有一定的依赖.