构建了氟化汞( ²⁰²Hg ¹⁹F)分子 ²Σ_1/2和 ² Π_1/2态的有效自旋转动哈密顿量,并计算了该分子基态的超精细结构及其在外电场中的斯塔克分裂和外磁场中的塞曼分裂。运用一阶微扰理论,计算模拟了g-因子在外电场中的变化。探讨了利用 ²⁰²Hg ¹⁹F分子N=1, J=1/2, F=1, M_F=±1 态测量电子电偶极矩的可能性(N、J、F为角动量量子数)。

提出了一种测量分子取向度的新方法，即采用极性线性分子的摆动光谱Q 支相对强度来测量分子的取向度。通过计算极性分子HCN-N2电子基态的C—H 伸缩振动在不同电场强度下的摆动光谱，发现其摆动光谱的Q 支强度随着电场强度的增大而逐渐增大，但P支与R 支强度则随着电场强度的增大相应地减小，因此可以利用摆动光谱的Q 支相对强度(即Q 支光谱强度与P,Q,R 支光谱总强度的比值)来表示电场强度的大小。同时，计算了电场强度大小与分子取向度的关系，发现分子取向度随电场强度的增大而逐渐增大。通过进一步计算，给出了分子取向度与其摆动光谱的Q 支相对强度的关系，并提出采用摆动光谱的Q 支相对强度实现分子取向度测量的新方法。