1 第二炮兵工程学院 物理教研室， 陕西 西安 710025
2 重庆师范大学物理与电子工程学院， 重庆 400047
利用吸收光谱和光致发光(PL)光谱研究了氢化物气相外延(HVPE)法生长的GaN厚膜材料发光特性。研究发现当激发脉冲光源的重复频率较低时，PL光谱中仅能观察到带边发光峰，当重复频率增加时，PL光谱中不仅出现带边发光峰，还可观察到蓝带发光峰和黄带发光峰；随着光源重复频率的增加，带边发光峰与黄带发光峰、蓝带发光峰的光强之比也随着增大。分析认为蓝带发光起源于材料中碳杂质缺陷而黄带发光可能与位错等结构缺陷有关。
薄膜材料 光致发光 蓝带发光 黄带发光 激光与光电子学进展
2011, 48(9): 093101
