1 第二炮兵工程学院 物理教研室， 陕西 西安 710025
2 重庆师范大学物理与电子工程学院， 重庆 400047
利用吸收光谱和光致发光(PL)光谱研究了氢化物气相外延(HVPE)法生长的GaN厚膜材料发光特性。研究发现当激发脉冲光源的重复频率较低时，PL光谱中仅能观察到带边发光峰，当重复频率增加时，PL光谱中不仅出现带边发光峰，还可观察到蓝带发光峰和黄带发光峰；随着光源重复频率的增加，带边发光峰与黄带发光峰、蓝带发光峰的光强之比也随着增大。分析认为蓝带发光起源于材料中碳杂质缺陷而黄带发光可能与位错等结构缺陷有关。
薄膜材料 光致发光 蓝带发光 黄带发光 激光与光电子学进展
2011, 48(9): 093101
重庆师范大学 物理学与信息技术学院， 重庆400047；重庆市高校光学工程重点实验室， 重庆400047
用四种不同光源作为激发光源，研究了蓝宝石衬底金属有机物汽相外延方法生长的氮化镓薄膜的光致发光特性。结果发现用连续光作为激发光源时，光致发光谱中除出现365 nm的带边发射峰外，同时观察到中心波长位于约550 nm 的较宽黄带发光；而用脉冲光作为激发光源时其发光光谱主要是365 nm附近的带边发光峰，未观察到黄带发光。氮化镓薄膜的光致发光特性依赖于所用的激发光源性质。
GaN薄膜 光致发光光谱 脉冲光源 连续光源 GaN film photoluminescence spectra pulse light scurce continuous light scurce
重庆师范大学 物理学与信息技术学院光学工程重点实验室,重庆 400047
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(MBE)生长GaN薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底MBE生长GaN薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶面衬底可有效地抑制GaN外延层中螺旋位错缺陷的产生。结果表明,利用蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜是抑制螺旋位错、改善薄膜质量的有效途径。
光谱学 GaN薄膜 分子束外延 椭偏光谱 位错缺陷
1 西安交通大学应用物理系，西安 710049
2 西安理工大学应用物理系，西安 710048
在传统工艺的基础上，改变电极的形状可以提高氮化镓(GaN)基材料光导型紫外探测器的灵敏度．经过计算可知，虽然三棱形电极可以使探测器有效受光率提高100%，但工艺复杂，难以实现；而半圆柱形电极虽然使氮化镓薄膜有效受光率仅提高20%左右，但工艺简单，便于加工．
紫外探测器 电极 加工工艺 Ultravidet detectors Electrode Making technology
1 西安交通大学应用物理系,西安,710049
2 西安理工大学应用物理系,西安,710048
3 美国堪萨斯州大学物理系,堪萨斯,66502-2601
用X光电子能谱和X射线衍射谱方法分析了MOCVD生长的AlGaN薄膜的实际表面形态和晶体结构.基于XPS测量结果,通过分析计算,发现实际表面除GaN外存在Ga2O3和Al2O3及其它与O有关的络合物构成的混合氧化物覆盖层,估计覆盖层厚度约1.2 nm.XRD结果显示生长的AlGaN薄膜为以GaN(0002)取向为主的多晶结构.
AlGaN薄膜 X光电子能谱 X射线衍射谱 MOCVD
