中国工程物理研究院 流体物理研究所, 脉冲功率科学与技术重点实验室, 四川 绵阳 621999
准等熵压缩实验技术已用来研究材料在高压下的状态方程。基于聚龙一号装置平台, 实现对样品的准等熵压缩和超高速飞片发射, 进行了一系列实验来加深对负载构型的理解。通过对负载结构的设计, 研究了构设电极尺寸与电极间隙对磁应力的大小与分布的影响。基于模拟和实验结果, 带状线负载结构可以很好地提高磁压和提升装置的运行水平, 其电极表面磁压分布也具有良好的均匀性和平面性。目前为止, 已经可以用带状线负载在聚龙一号装置上获得峰值压力高达约100 GPa的准等熵压缩, 并获得速度超过10 km/s的超高速飞片。
准等熵 超高速飞片 负载结构 磁压 isentropic compression hyper-velocity load configuration magnetic pressure 强激光与粒子束
2016, 28(1): 015015
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都 610054
设计了一种用于新型非制冷 IRFPA读出电路的低温漂的低压带隙基准电路。提出了同时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术，通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构以及基准核心电路，基准电压和基准电流可以分别进行温度补偿。在 0.5 μm CMOS N阱工艺条件下，采用 spectre进行模拟验证。仿真结果表明，在 3.3 V条件下，在－20℃～100℃范围内，带隙基准电压源和基准电流源的温度系数分别为 35.6×10－6℃－1和 37.8×10－6℃－1。当电源电压为 3.3 V时，整个电路的功耗仅为 0.17 mW。
基准电压 基准电流 带隙负载结构 温度系数 reference voltage reference current bandgap load temperature coefficient
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室， 四川 成都 610054
设计了一种用于新型非致冷红外焦平面阵列读出电路的低温漂低压带隙基准电路。提出了同 时产生带隙基准电压源和基准电流源的技术。通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构及基准核心电路， 可以分别对基准电压和基准电流进行温度补偿。在0.5 m CMOS N阱工艺条件下，采用Spectre软件进行了模 拟验证。仿真结果表明，在3.3 V条件下，在–20 ～ 100 ℃范围内，带隙基准电压源和基准电流源的 温度系数分别为35.6 ppm/℃和37.8 ppm/℃。在直流情况下，基准电压的电源抑制比(PSRR)值为–68 dB。 基准源电路的供电电压范围为2.2 ～ 4.5 V。
基准电压 基准电流 带隙负载结构 温度系数 电源抑制比 reference voltage reference current bandgap load temperature coefficient PSRR
