为提高平面光学元件的加工质量和效率, 理解元件与抛光盘之间的相对运动轨迹变化规律是获得良好表面质量的重要前提。根据“运动学原理”和“坐标变换”建立了磨粒运动轨迹模型, 推导了磨粒轨迹长度公式。利用Matlab软件模拟计算了各参数下的磨粒轨迹长度和磨粒轨迹变化形态。研究表明: 不同转速比对材料去除速率和表面质量影响显著; 随着磨粒径向距离和偏心距的增大, 磨粒轨迹长度增加, 考虑到偏心距对工件表面质量的影响, 偏心距不宜太大或太小; 同一转速比下, 不同的磨粒初始角度对磨粒轨迹形状没有影响, 只会使其转过相应角度。
轨迹长度 轨迹变化形态 去除速率 表面质量 length of trajectory morphological change of trajectory removal rate surface quality 半导体光电
2017, 38(3): 3550369
为了完善平面摇摆式抛光的理论并指导加工，基于Preston方程建立了平面摇摆式加工的去除模型，并使用该模型在Matlab中仿真计算元件上各点在不同加工参数情况下的去除量，最终得到不同加工参数情况下所产生的不同去除形貌。通过控制不同参数在430 mm×430 mm平面石英元件上进行抛光实验，验证去除模型的正确性，对比相同参数下仿真得到的去除形貌和加工后检测得到的面形图可知该去除模型能够正确预测不同加工参数时的去除量，从而证实了该模型能够准确、有效地指导摇摆式抛光。
摇摆式抛光 加工参数 轨迹长度 去除模型 swinging polishing machining parameters track length removal model 强激光与粒子束
2014, 26(3): 032009
