为了解决传统T型偏置器(Bias-T)在硅基高速调制器测试过程中, 因直流(DC)源导通/截止或者链路产生热插拔时容易导致高速信号源出现不可逆的损坏问题, 首先分析了问题产生的原因和常规解决方法的优缺点, 然后设计了一种用于硅基高速调制器测试的有源Bias-T电路。该电路在传统Bias-T基础上利用微波放大器芯片中晶体管的特性来隔离直流源在馈电导通/截止或者热插拔时产生的冲击电压。最后, 对有源Bias-T电路进行了仿真设计和测试。测试结果表明: 该电路带宽大于25 GHz, 脉冲电压为±0.055 V左右, 消除了信号源设备损坏的风险。

研究了超二代微光像增强器性能随工作时间的变化规律，掌握性能变化特点。通过性能测试和曲线拟合，得出亮度增益、信噪比随工作时间的变化逐渐下降，分辨力随工作时间的变化几乎保持不变。其中，亮度增益与工作时间呈指数函数变化，即当超二代微光像增强器在 10000 h的工作时间内，亮度增益随工作时间的变化速率较快，但随着工作时间增加，亮度增益下降速率变慢，且最终趋于平稳。信噪比随工作时间呈多项式函数变化，且随着工作时间的增加信噪比逐渐下降。将长时间工作的微光像增强器进行解剖分析后，其亮度增益、信噪比变化主要与光电阴极灵敏度、荧光屏发光效率和微通道板增益稳定性息息相关，且相比灵敏度和荧光屏发光效率而言，微通道板增益的稳定性变化较大。

为进一步提高超二代像增强器分辨力, 分析了阴极输入窗、多碱光电阴极、微通道板、荧光屏等对超二代像增强器分辨力的影响, 提出了减小阴极近贴距离、减小微通道板通道孔径、减小光纤面板输出窗丝径以及对微通道板镀制防电子弥散膜来提高分辨力的方法, 并通过实验得到了验证。实验结果表明, 随着阴极近贴距离的不断减小, 分辨力可以得到逐步提高。阴极近贴距离为 0.08 mm的条件下, 缩小光纤面板输出窗的丝径, 缩小微通道板的孔径, 且在微通道板的输出面镀制防电子弥散膜, 可以使超二代像增强器的分辨力达到 72 lp/mm, 最高可达到 76 lp/mm, 比原有超二代像增强器的分辨力提高了 33.33%。

采用试验对比分析的方法, 从 MCP斜切角对像增强器的 MCP噪声因子、分辨力、MCP增益三方面的影响展开研究。试验结果表明, MCP斜切角在 5.～12.范围内时, MCP噪声因子与 MCP斜切角呈抛物线关系, 当 MCP斜切角为 9.时, MCP噪声因子最小; 分辨力与斜切角呈负相关关系, 当 MCP斜切角为 5.时, 分辨力最大; MCP增益随斜切角的增加呈抛物线变化, 当 MCP斜切角为 9°时, MCP增益最大。这主要是因为改变 MCP斜切角后, 光电子进入 MCP通道前端二次电子发射层的角度深度不同, 激发出的二次电子数及电子在 MCP输出端形成的散射斑半径存在差异。若要选择最佳 MCP斜切角, 必须综合考虑不同场景下对像增强器主要性能指标的要求。

地质聚合物作为一种新型铝硅酸盐绿色材料, 具有机械性能优异、耐久性高、原料来源广、能源消耗小和生产工艺简单等优点, 被广泛应用在建筑材料、耐火材料和固定重金属离子等领域。地质聚合物固定重金属离子的机制可分为物理机制(物理包封和离子交换)和化学机制(化学键合、形成化合物和还原剂耦合)。本文综述了近年来地质聚合物在固定重金属离子领域的研究进展, 简要介绍了地质聚合物的制备流程及地质聚合反应过程, 重点介绍了地质聚合物固定重金属离子的机制。此外, 介绍了添加剂种类和掺量、碱激发剂种类和掺量、硅铝比、养护温度和重金属离子对固定效果的影响。最后, 总结了近年来地质聚合物固定重金属离子领域的研究应用进展, 分析了存在的问题并对未来研究方向进行了展望。

摘要：本文介绍了高性能超二代像增强器的技术特征及性能，并与普通超二代像增强器进行了比较，提出了进一步改进高性能超二代像增强器性能的技术途径。超二代像增强器是在二代像增强器基础上，采用新技术、新工艺和新材料而发展起来的，性能较二代像增强器有大幅提升。近年来，超二代像增强器由于使用了光栅窗，性能又有了进一步的提升。光栅窗的使用，增加了 Na2KSb 光电阴极膜层的吸收系数，使阴极灵敏度达到 1000?A?lm－1 以上，10－4 lx 照度条件下的分辨力达到 17 lp?mm－1 以上。可以预计，通过进一步优化和改进 Na2KSb光电阴极膜层的制作工艺，同时进一步优化光栅窗的结构，提高光栅窗的增强系数，那么 Na2KSb 光电阴极的灵敏度将会达到 1350～1800 ?A?lm－1，信噪比达到 35～40；通过 4 ?m小丝径 MCP 以及 3 ?m 光纤面板的应用，分辨力将会达到 81 lp?mm－1 以上。

超声换能器是微电子封装技术的核心执行元件, 为解决传统一维纵振超声换能器键合效率低、键合面不均匀及键合点不牢靠等问题, 采用ANSYS仿真软件建立换能器有限元模型进行模态分析及谐响应分析, 设计了一种可同时实现轴向纵振、水平弯振及竖直俯仰振动的40 kHz多向复合夹心压电式超声换能器。其中, 压电部分由整圆环和可单独激励的1/4圆环陶瓷片组成。利用阻抗分析仪实物测试, 得到换能器纵振、弯振及俯仰振动的阻抗-频率特性曲线。结果表明, 测试值与仿真值基本一致, 且结构性能参数均符合键合要求, 验证了该结构的合理性。

运用单相位屏近似法研究了轨道角动量纠缠 W态传输通过 non-Kolmogorov湍流的纠缠退相干。数值分析了湍流参数和光束参数对轨道角动量纠缠 W态演化的影响。研究结果表明大气湍流的谱指数和内尺度越大，湍流的折射率结构常数和湍流的外尺度越小，轨道角动量纠缠受 non-Kolmogorov湍流的影响越小。此外，光子轨道角动量量子数越大且拉盖尔高斯光束的束腰宽度越小，轨道角动量纠缠受 non-Kolmogorov湍流的影响越小。

MCP是一种超快响应的电子倍增器，在像增强器和光电倍增管中有广泛应用。本文首先介绍了 MCP输入增强膜原理，之后利用真空镀膜方法在 MCP的输入端镀制了一层具有高二次电子发射系数的膜层，并通过面电阻、XPS表征了膜层特性。通过试验，对比测量了镀膜 MCP和常规 MCP像增强器的信噪比、 MCP增益以及像增强器分辨力，测量结果表明，镀膜 MCP像增强器的信噪比、 MCP增益较常规 MCP像增强器的信噪比、MCP增益均有提高，但像增强器分辨力有所下降。常规 MCP像增强器的信噪比平均为 25.27、MCP增益平均为 209.5、像增强器分辨力平均为 61 lp/mm，而镀膜 MCP像增强器的信噪比平均为 29.53、MCP增益平均为 450.5、像增强器分辨力平均为 54.75 lp/mm。镀膜 MCP像增强器信噪比和 MCP增益提高的原因是 MCP输入端镀膜以后，表面二次电子发射系数提高。另外由于 MCP输入端表面二次电子发射系数提高，导致镀膜 MCP输入端表面散射电子数量的增加，使得镀膜 MCP像增强器分辨力有所下降。