介观体系的电子输运为设计纳米尺度的纳米结构电子装置提供了理论依据。基于先前研究提出的传输矩阵方法, 计算了十字型四终端量子点阵列体系模型的透射系数, 并将该四终端体系模型转化成二终端模型, 研究了相对于中间原点处非对称和对称的十字型量子点阵列体系的电子输运。结果表明: 空间反转对称的十字型量子点阵列的透射率尖峰个数与量子点阵列上的量子点数相等, 透射系数与入射电子能量、量子点宽度和量子点数有关, 而与跃迁积分无关。
量子力学 量子输运 传输矩阵 十字型 四终端系统 量子点阵列 quantum mechanics quantum transport transfer matrix cross type four-terminal system quantum dot array
介观系统的量子输运理论为设计和实现具有优良性能的量子器件提供了物理模型和依据。 基于紧束缚模型散射区格点上能量波动的二终端系统透射系数的传输矩阵方法,提出了二维T型三终端量子点阵列模型,并将其转 化成二终端模型去探讨,分别研究了相对于中间原点的非对称电极和对称电极的T型量子点阵列的电子输运。结果表明:对于非对 称的T型量子点阵列,其透射率的尖峰个数与输入端量子点数相等;而对于对称的T型量子点阵列,其透射率的尖峰个数与左右端量 子点数相等。此外,透射系数与跃迁积分和量子点数有关,而与量子点宽度无关。
光电子学 量子力学 量子输运 传输矩阵 T型 三终端系统 量子点阵列 optoelectronics quantum mechanics quantum transport transmission matrix T-shape three-terminal system quantum dot array
国民核生化灾害防护国家重点实验室, 北京 102205
为了提升量子点光学器件使用性能, 本文提出采用点胶法制备量子点阵列并通过选择组分配比控制量子点胶点形貌。实验使用甲苯和 UV胶混合制成量子点胶水溶液, 研究了甲苯和 UV胶在不同配比下制作的量子点胶点的形貌特征, 实验证明当甲苯与 UV胶配比合适时, 点胶机打印阵列具有形貌良好、发光均匀、无咖啡环效应、打印精度高、阵列整齐等优点, 随着组分配比中甲苯含量的增加, 量子点胶点圆度、发光均匀性、一致性及排列整齐度均降低。因此通过改变组分配比, 可有效控制及优化胶点形貌, 提高量子点阵列的一致性与发光均匀性, 对提高量子点器件的灵敏度及分辨率等具有重要意义。
量子点阵列 点胶法制备 点胶机打印 形貌控制 quantum dot array, preparation by dispensing, disp
以基于紧束缚模型的实空间格点组成的一维线性均匀有序的 量子点阵列为研究对象,利用演化算符的作用使其在量子点阵列的自旋链上进行单量子比特的信息传输。即使用演化算符 exp(-iλt?H)使单比特量子态从量子点阵列起始端为多粒子态 |110203…0N-10N>传输到末端态为|010203…0N-11N>,在此基础上计算概率来讨论 单量子比特能从起始端的多粒子态|110203…0N-10N>的第一个量子比特完全传输到 态|010203…0N-11N>的末端第N个量子比特是可能的。
量子物理 信息传输 演化算符的泰勒展开 量子点阵列 线性自旋链 一维 单量子比特 quantum physics information transmission Taylor series of evolution operator quantum dot array linear spin chain one-dimension one-qubit
利用一个基于紧束缚模型的散射区格点上能量波动的二终端系统透射系数的一般计算方法, 提出了基于实空间格点的H型四终端量子点阵列的系统,将其转化成二终端量子点阵列模型去探讨, 通过利用实空间格林函数,计算了H型四终端量子点阵列的透射率,研究其量子输运问题。
光电子学 量子输运 传输矩阵 量子点阵列 H型 四终端系统 optoelectronics quantum transport transfer matrix quantum dot array H-shape four-terminal system
1 天津市南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室，天津市信息光子材料与技术重点实验室，南开大学泰达应用物理学院，天津 300457
2 中国科学院半导体研究所，北京 100083
多模量子点阵列的光致荧光(PL)光谱的温度依赖性研究对于实现高效的量子点光电器件有着非常重要的意义。利用速率方程模型模拟不同密度量子点阵列中的载流子动力学过程。研究表明，高密度量子点阵列中不同尺寸量子点族的PL强度表现不同的温度依赖关系；而低密度量子点阵列不同点族PL强度均随温度衰减。高密度量子点阵列中，载流子被热激发到浸润层后，部分地被大量子点再俘获，即在量子点族间转移；低密度量子点阵列中不同量子点族间的载流子转移受到限制。不同量子点族光致荧光强度比的最大值强烈地依赖于量子点的激活能差。
光电子学 光致荧光 速率方程 多模量子点阵列 热激发 optoelectronics photoluminescence rate equation multimodel quantum dot arrays thermally excitation
