中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
为了更好地控制共晶焊接空洞率和剪切力,提出了一种采用正交试验法优化自动共晶焊接参数的方法。对焊接温度、焊接时间、焊接压力三个关键参数采用正交法进行三因子两水平极差分析,得到了影响芯片金锡共晶焊接质量的主次因子及共晶焊接参数的最优组合。试验结果证明,使用优化的工艺参数,芯片焊接质量得到明显提升,共晶焊接区空洞率均值及芯片剪切力Cpk值均完全满足GJB548B的要求。
芯片共晶焊接 正交试验 共晶空洞 剪切力 金锡焊料 工艺优化 eutectic die attach orthogonal experiment eutectic void shear strength AuSn solder process optimization
1 中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程中心, 北京 100083
2 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
为了提高半导体激光器的封装质量和效率, 引入管式炉利用夹具进行批量封装。由于封装质量的好坏直接影响半导体激光器的输出特性和使用寿命, 利用MOCVD生长808 nm芯片, 重点分析了管式炉温度和封装时间对半导体激光器巴条双面金锡封装质量的影响。利用X射线检测、结电压、光电特性参数和smile效应测试手段, 确定了管式炉封装半导体激光器巴条的最优封装条件, 为以后的产业化提供了指导意义。
半导体激光器 巴条 金锡焊料 X射线检测 smile效应 semiconductor laser bar AuSn solder X-ray inspection smile effect
