中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照,测量辐照前后器件的电阻-温度特性,用电阻-温度特性研究材料参数的方法对实验结果进行拟合,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大,并由此计算得到探测器性能突变后,器件的电子迁移率与电子浓度均有一定程度减小.认为这可能是由于激光辐照的热效应使N型HgCdTe光导器件的表面及体内均产生的一定的变化所致.
长波HgCdTe光导探测器 激光辐照 电阻-温度特性 拟合 Long－wave HgCdTe PC detector Laser irradiation Resistance－temperature characteristic Fit
