采用磁控溅射法在ITO玻璃上制备了CdZnTe薄膜, 探究机械磨抛对CdZnTe薄膜阻变特性的影响。通过对XRD图谱、Raman光谱、AFM显微照片等实验结果分析阐明了机械磨抛影响CdZnTe薄膜阻变特性的物理机制。研究结果表明, 磁控溅射制备的薄膜为闪锌矿结构, F43m空间群。机械磨抛提高了CdZnTe薄膜的结晶质量; CdZnTe薄膜粗糙度(Ra)由磨抛前的3.42 nm下降至磨抛后的1.73 nm; 磨抛后CdZnTe薄膜透过率和162 cm-1处的类CdTe声子峰振动峰增强; CdZnTe薄膜的阻变开关比由磨抛前的1.2增加到磨抛后的4.9。机械磨抛提高CdZnTe薄膜质量及阻变特性的原因可能是CdZnTe薄膜在磨抛过程中发生了再结晶。

采用电泳沉积法在FTO导电玻璃基片上制备Zn1-xCuxO薄膜, 并对其微观结构、光致发光谱、伏安特性、保持特性和转换电压分布进行探讨。PL谱表明, Cu掺杂在禁带中引入深受主能级, 降低氧空位浓度, 导致ZnO薄膜的紫外发光、蓝光发光和绿光发光峰强度降低。所得薄膜的晶粒细小、致密、均匀, 具有稳定的双极性阻变特性, 开关比Roff/Ron最高达到105, 其低阻态(LRS)和高阻态(HRS)的阻变机理分别符合欧姆定律和空间电荷限制传导理论。器件经100次循环测试后开关比无明显变化, 呈现出较为良好的抗疲劳特性。Cu掺杂对LRS影响不大, 但显著改善了HRS的分散性以及转换电压VSET的分散性。当Cu掺杂量x=0.04时, 器件表现出良好的综合性能: Roff≈106 Ω, Roff/Ron≈104, VSET介于0.4~3.03 V之间。