首页 > 论文 > 光学学报 > 39卷 > 6期(pp:0614002--1)

450 nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化

Optimization of Facet Reflectivity of 450-nm GaN-Based Semiconductor Lasers

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摘要

分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证。结果表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和最大输出功率。当前腔面反射率为5%时,斜率效率大于1.3 W·A -1,并在3 A的连续工作电流下,获得了2.6 W的高功率输出。

Abstract

We analyze and experimentally verify the impact of facet reflectivity on slope efficiency and output power of 450-nm GaN-based semiconductor lasers. The results reveal that for asymmetric resonator structures, the nonlinear effect of longitude spatial hole burning can be suppressed by optimizing the facet reflectivity, thereby improving the differential quantum efficiency and maximum output power of the device. A high slope efficiency of >1.3 W·A -1 is obtained at the facet reflectivity of 5%, and a high power output of 2.6 W is obtained at the operating current of 3 A.

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补充资料

中图分类号:O436

DOI:10.3788/AOS201939.0614002

所属栏目:激光器与激光光学

基金项目:四川省科技厅面上项目;

收稿日期:2018-09-12

修改稿日期:2019-02-25

网络出版日期:2019-06-17

作者单位    点击查看

杜维川:中国工程物理研究院高能激光重点实验室, 四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900
康俊杰:中国工程物理研究院高能激光重点实验室, 四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900
李弋:中国工程物理研究院高能激光重点实验室, 四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900
谭昊:中国工程物理研究院高能激光重点实验室, 四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900
周坤:中国工程物理研究院高能激光重点实验室, 四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900
胡耀:中国工程物理研究院高能激光重点实验室, 四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900
张亮:中国工程物理研究院高能激光重点实验室, 四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900
王昭:中国工程物理研究院高能激光重点实验室, 四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900
郭林辉:中国工程物理研究院高能激光重点实验室, 四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900
高松信:中国工程物理研究院高能激光重点实验室, 四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900
武德勇:中国工程物理研究院高能激光重点实验室, 四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900
唐淳:中国工程物理研究院高能激光重点实验室, 四川 绵阳 621900中国工程物理研究院应用电子学研究所, 四川 绵阳 621900

联系人作者:周坤(zhoukun2011@sinano.ac.cn)

备注:四川省科技厅面上项目;

【1】Charash R, Kim-Chauveau H, Lamy J M et al. Cleaved-facet violet laser diodes with lattice-matched Al0.82In0.18N/GaN multilayers as n-cladding. Applied Physics Letters. 98(20), (2011).

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【3】Farrell R M, Haeger D A, Hsu P S et al. Determination of internal parameters for AlGaN-cladding-free m-plane InGaN/GaN laser diodes. Applied Physics Letters. 99(17), (2011).

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引用该论文

Weichuan Du,Junjie Kang,Yi Li,Hao Tan,Kun Zhou,Yao Hu,Liang Zhang,Zhao Wang,Linhui Guo,Songxin Gao,Deyong Wu,Chun Tang. Optimization of Facet Reflectivity of 450-nm GaN-Based Semiconductor Lasers[J]. Acta Optica Sinica, 2019, 39(6): 0614002

杜维川,康俊杰,李弋,谭昊,周坤,胡耀,张亮,王昭,郭林辉,高松信,武德勇,唐淳. 450 nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化[J]. 光学学报, 2019, 39(6): 0614002

被引情况

【1】曾德圣,仲莉,刘素平,马骁宇. 具有线性张角结构和非线性张角结构的锥形激光放大器的分析. 光学学报, 2020, 40(3): 314002--1

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