光电工程, 2017, 44 (12): 1225, 网络出版: 2018-01-17  

GaSb基VCSEL刻蚀工艺研究

Study on etch process of GaSb-based VCSEL
作者单位
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022
基本信息
DOI: 10.3969/j.issn.1003-501x.2017.12.011
中图分类号: TN248
栏目: 光电进展
项目基金: 国家自然科学基金(11474038,61376045,11474036);总装预研究基金(61424050302162405002)资助。
收稿日期: 2017-06-04
修改稿日期: 2017-10-24
网络出版日期: 2018-01-17
通讯作者: 张家斌 (jiabin_1320622@sina.com)
备注: --

张昕, 李洋, 王霞, 李杨, 岳光礼, 王志伟, 谢检来, 张家斌, 郝永芹. GaSb基VCSEL刻蚀工艺研究[J]. 光电工程, 2017, 44(12): 1225. Xin Zhang, Yang Li, Xia Wang, Yang Li, Gangli Yue, Zhiwei Wang, Jianlai Xie, Jiabin Zhang, Yongqin Hao. Study on etch process of GaSb-based VCSEL[J]. Opto-Electronic Engineering, 2017, 44(12): 1225.

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