发光学报, 2011, 32 (12): 1292, 网络出版: 2012-01-04   

半导体激光器腔面增透膜AlN薄膜的制备

Deposition of AlN Film for AR Coating of Semiconductor Lasers
作者单位
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春130022
基本信息
DOI: 10.3788/fgxb20113212.1292
中图分类号: TN248.4
栏目: 器件制备及器件物理
项目基金: --
收稿日期: 2011-08-03
修改稿日期: 2011-10-27
网络出版日期: 2012-01-04
通讯作者: 周路 (zhoulu885@163.com)
备注: --

周路, 王云华, 贾宝山, 白端元, 张斯钰, 乔忠良, 高欣, 薄报学. 半导体激光器腔面增透膜AlN薄膜的制备[J]. 发光学报, 2011, 32(12): 1292. ZHOU Lu, WANG Yun-hua, JIA Bao-shan, BAI Duan-yuan, ZHANG Si-yu, QIAO Zhong-liang, GAO Xin, BO Bao-xue. Deposition of AlN Film for AR Coating of Semiconductor Lasers[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(12): 1292.

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