发光学报, 2016, 37 (4): 457, 网络出版: 2016-06-06
退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响
Effect of Annealing Temperature on Performance of Amorphous InWO Thin Film Transistors
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20163704.0457 |
| 中图分类号: | TN321+.5 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金面上项目(61474075)、 国家自然科学基金重点项目(61136004)资助 |
| 收稿日期: | 2015-12-21 |
| 修改稿日期: | 2016-01-18 |
| 网络出版日期: | 2016-06-06 |
| 通讯作者: | |
| 备注: | -- |
许玲, 吴崎, 董承远. 退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响[J]. 发光学报, 2016, 37(4): 457. XU Ling, WU Qi, DONG Cheng-yuan. Effect of Annealing Temperature on Performance of Amorphous InWO Thin Film Transistors[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(4): 457.
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