红外与毫米波学报, 2017, 36 (3): 257, 网络出版: 2017-07-05
高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSb I型量子阱室温工作激光器
High power GaSb-based 2.6 μm room-temperature laser diodes with InGaAsSb/AlGaAsSb type I quantum-wells
补充材料
柴小力, 张宇, 廖永平, 黄书山, 杨成奥, 孙姚耀, 徐应强, 牛智川. 高功率GaSb基2.6微米InGaAsSb/AlGaAsSb I型量子阱室温工作激光器[J]. 红外与毫米波学报, 2017, 36(3): 257. CHAI Xiao-Li, ZHANG Yu, LIAO Yong-Ping, HUANG Shu-Shan, YANG Cheng-Ao, SUN Yao-Yao, XU Ying-Qiang, NIU Zhi-Chuan. High power GaSb-based 2.6 μm room-temperature laser diodes with InGaAsSb/AlGaAsSb type I quantum-wells[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2017, 36(3): 257.
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