液晶与显示, 2016, 31 (5): 460, 网络出版: 2016-06-06
不同双栅极设计对a-Si∶H TFT 特性影响
Effect of different dual gate design on A-Si∶H TFT electrical characteristics
基本信息
| DOI: | 10.3788/yjyxs20163105.0460 |
| 中图分类号: | TN873+.93 |
| 栏目: | 材料与器件 |
| 项目基金: | -- |
| 收稿日期: | 2016-01-15 |
| 修改稿日期: | 2016-02-21 |
| 网络出版日期: | 2016-06-06 |
| 通讯作者: | 林致远 (linzhiyuan@boe.com.cn) |
| 备注: | -- |
林致远, 马骏, 林亮, 杨成绍, 邹志翔, 黄寅虎, 文锺源, 王章涛. 不同双栅极设计对a-Si∶H TFT 特性影响[J]. 液晶与显示, 2016, 31(5): 460. LIN Zhi-yuan, MA Jun, LIN Liang, YANG Cheng-shao, ZOU Zhi-xiang, HUANG Yin-hu, WEN Zhong-yuan, WANG Zhang-tao. Effect of different dual gate design on A-Si∶H TFT electrical characteristics[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2016, 31(5): 460.
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