不同双栅极设计对a-Si∶H TFT 特性影响

林致远; 马骏; 林亮; 杨成绍; 邹志翔; 黄寅虎; 文锺源; 王章涛

doi:doi:10.3788/yjyxs20163105.0460

液晶与显示, 2016, 31 (5): 460, 网络出版: 2016-06-06

不同双栅极设计对a-Si∶H TFT 特性影响

Effect of different dual gate design on A-Si∶H TFT electrical characteristics

林致远 ^*马骏林亮杨成绍邹志翔黄寅虎文锺源王章涛

作者单位

合肥鑫晟光电科技有限公司，安徽合肥 230012

图 & 表

林致远, 马骏, 林亮, 杨成绍, 邹志翔, 黄寅虎, 文锺源, 王章涛. 不同双栅极设计对a-Si∶H TFT 特性影响[J]. 液晶与显示, 2016, 31(5): 460. LIN Zhi-yuan, MA Jun, LIN Liang, YANG Cheng-shao, ZOU Zhi-xiang, HUANG Yin-hu, WEN Zhong-yuan, WANG Zhang-tao. Effect of different dual gate design on A-Si∶H TFT electrical characteristics[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2016, 31(5): 460.