可见光通信中GaN-LED PN结面积对调制带宽的影响机理

周政; 缪文南; 李亚; 龙晓燕; 李健

doi:doi:10.37188/ope.20202807.1494

光学精密工程, 2020, 28 (7): 1494, 网络出版: 2020-11-02

可见光通信中GaN-LED PN结面积对调制带宽的影响机理

Influence mechanism of GaN-LEDs PN junction area on modulation bandwidth in visible light communication

周政 ¹缪文南 ¹李亚 ²龙晓燕 ¹李健 ²

作者单位

¹ 华南理工大学广州学院电子信息工程学院, 广东广州 510800

² 中山大学电子信息与工程学院, 广东广州 510275

图 & 表

周政, 缪文南, 李亚, 龙晓燕, 李健. 可见光通信中GaN-LED PN结面积对调制带宽的影响机理[J]. 光学精密工程, 2020, 28(7): 1494. ZHOU Zheng, MIAO Wen-nan, LI Ya, LONG Xiao-yan, LI Jian. Influence mechanism of GaN-LEDs PN junction area on modulation bandwidth in visible light communication[J]. Optics and Precision Engineering, 2020, 28(7): 1494.