中国激光, 2018, 45 (1): 0103003, 网络出版: 2018-01-24  

氮δ掺杂Cu2O薄膜的生长及物性研究 下载: 691次

Research on Growth and Physical Properties of N δ-doped Cu2O Films
作者单位
1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
2 长春理工大学理学院, 吉林 长春 130012
图 & 表

图 1. N掺杂Cu2O结构示意图

Fig. 1. Structural diagram of N-doped Cu2O

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图 2. N掺杂Cu2O的能谱

Fig. 2. Energy spectra of N-doped Cu2O

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图 3. 样品AFM测试图像。(a) Cu2O;(b) N掺杂Cu2O

Fig. 3. AFM images of samples. (a) Cu2O; (b) N-doped Cu2O

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图 4. Cu2O及N掺杂Cu2O的(a)吸收光谱和(b)带隙图

Fig. 4. (a) Absorption spectra and (b) bandgap map of Cu2O and N-doped Cu2O

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表 1N掺杂Cu2O薄膜生长条件

Table1. Growth conditions of N-doped Cu2O films

SubstrateTemperature /℃CycleAtomicratio
Al2O3250100049∶1

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李微, 潘景薪, 王登魁, 方铉, 房丹, 王新伟, 唐吉龙, 王晓华, 孙秀平. 氮δ掺杂Cu2O薄膜的生长及物性研究[J]. 中国激光, 2018, 45(1): 0103003. Li Wei, Pan Jingxin, Wang Dengkui, Fang Xuan, Fang Dan, Wang Xinwei, Tang Jilong, Wang Xiaohua, Sun Xiuping. Research on Growth and Physical Properties of N δ-doped Cu2O Films[J]. Chinese Journal of Lasers, 2018, 45(1): 0103003.

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