半导体光电, 2014, 35 (5): 846, 网络出版: 2014-10-23
In气氛退火对Cd0.9Zn0.1Te材料电阻率的影响研究
Effects of In Diffusion Annealing on the Resistivity of Cd0.9Zn0.1Te
基本信息
DOI: | -- |
中图分类号: | TN305.4 |
栏目: | 材料、结构及工艺 |
项目基金: | -- |
收稿日期: | 2014-01-03 |
修改稿日期: | -- |
网络出版日期: | 2014-10-23 |
通讯作者: | 隋淞印 (ssysui@gmail.com) |
备注: | -- |
隋淞印, 何凯, 盛锋锋, 华桦. In气氛退火对Cd0.9Zn0.1Te材料电阻率的影响研究[J]. 半导体光电, 2014, 35(5): 846. SUI Songyin, HE Kai, SHENG Fengfeng, HUA Hua. Effects of In Diffusion Annealing on the Resistivity of Cd0.9Zn0.1Te[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2014, 35(5): 846.