1 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所, 红外材器中心,上海 200083
通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence, PL)光谱测量, 发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试, 获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明: (1)在不含Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布, 并因此导致轻、重空穴带分裂；(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程.
CdZnTe单晶 磁光光致发光光谱 应力 轻空穴 CdZnTe crystal magneto-photoluminescence stress shallow-donor
中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
在不同温度条件下对Cd0.9Zn0.1Te晶片进行In气氛退火热处理, 显著提高了Cd0.9Zn0.1Te材料的电阻率。通过实验测量和理论建模计算, 得到了1073、1023和973K条件下In原子在Cd0.9Zn0.1Te晶片中的扩散系数分别为4.25×10-9cm2·s-1、9.02×10-10cm2·s-1和2.17×10-10cm2·s-1, 并且拟合出了1073~973K范围内扩散系数和温度之间的函数关系表达式D(T)=2.15×exp(-1.9/k0T)及频率因子D0等数据。最后, 对实验结果进行了简要的对比和分析解释。
碲锌镉 电阻率 铟扩散 退火 扩散系数 Cd0.9Zn0.1Te resistivity In-diffusion annealing diffusion coefficient
