中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
在不同温度条件下对Cd0.9Zn0.1Te晶片进行In气氛退火热处理, 显著提高了Cd0.9Zn0.1Te材料的电阻率。通过实验测量和理论建模计算, 得到了1073、1023和973K条件下In原子在Cd0.9Zn0.1Te晶片中的扩散系数分别为4.25×10-9cm2·s-1、9.02×10-10cm2·s-1和2.17×10-10cm2·s-1, 并且拟合出了1073~973K范围内扩散系数和温度之间的函数关系表达式D(T)=2.15×exp(-1.9/k0T)及频率因子D0等数据。最后, 对实验结果进行了简要的对比和分析解释。
碲锌镉 电阻率 铟扩散 退火 扩散系数 Cd0.9Zn0.1Te resistivity In-diffusion annealing diffusion coefficient
