1 山东大学(威海) 空间科学与物理学院, 山东 威海 264209
2 山东大学 化学与化学工程学院, 山东 济南 250100
3 山东大学(威海) 机电与信息工程学院, 山东 威海 264209
4 中国科学院 上海技术物理研究所, 上海 200083
5 济南市半导体元件实验所, 山东 济南 250014
三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上, 并且在量子阱层结构的生长过程中, 在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品, 通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4~200 K的温度范围内, 我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线, 清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小, 轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动, 这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而, 随着测量温度的进一步升高, 两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动, 并且在150 K温度下, 其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。
共振隧穿 重空穴和轻空穴 GaAs/AlAs多量子阱 电流-电压特征 δ-掺杂。 resonant tunneling heavy- and light-holes GaAs/AlAs multiple quantum wells current-voltage characteristics δ-doped
1 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所, 红外材器中心,上海 200083
通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence, PL)光谱测量, 发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试, 获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明: (1)在不含Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布, 并因此导致轻、重空穴带分裂；(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程.
CdZnTe单晶 磁光光致发光光谱 应力 轻空穴 CdZnTe crystal magneto-photoluminescence stress shallow-donor
