碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)材料的表面钝化是红外探测器制备中的关键工艺之一。高性能MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面。因此，探究MCT表面钝化技术具有重要意义。研究了MCT的分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)原位钝化与磁控溅射钝化两种钝化技术。结果表明，MBE原位钝化膜层的致密性较好，钝化层表面的缺陷孔洞较小，钝化层与MCT的晶格匹配度较好，器件流片的电流-电压(I-V)特性要优于磁控溅射正常钝化。

三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上, 并且在量子阱层结构的生长过程中, 在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品, 通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4~200 K的温度范围内, 我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线, 清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小, 轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动, 这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而, 随着测量温度的进一步升高, 两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动, 并且在150 K温度下, 其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。

提出了一种对于太阳电池光照条件和暗特性条件下对其伏安特性全段进行拟合提取参数的改进方法.对太阳电池J-V曲线进行分段, 提取每段的4个关键参数: 串联电阻(Rs)、并联电阻(Rsh)、品质因子(n)、反向饱和电流密度(J0).这种方法采用了双结电路模型法, 并以CdS/CdTe薄膜电池为例进行了光照下和暗特性分析, 得到了比单结电流模型更多的参数, 并且具有较高的拟合精度(误差<0.7%).

对GaN基蓝光功率型LED在老化前和老化期间施加反向人体模式静电放电(ESD)，并对静电打击前后及老化前后的LED光学电学参数进行分析。实验结果及理论分析表明，ESD使LED芯片有源层及限制层中产生缺陷，最终导致电学特性及光学特性的变化。ESD给LED带来的损伤可在老化前期过程中被局部恢复，但随着老化时间推移，电参数漂移程度及光衰幅度不断增大，而老化过程中LED对ESD的敏感度增加，使LED抗ESD能力减弱。

采用分子束外延方法在Si(111)衬底上生长了PbSe/BaF₂/CaF₂薄膜,扫描电镜和X-光衍射分析显示,通过生长BaF₂/CaF₂缓冲层的方法,在Si(111)衬底上外延的PbSe薄膜晶体质量高,PbSe表面光亮,无开裂现象发生,X-光衍射峰峰宽窄(153arcs).外延生长的PbSe薄膜被应用于制作光电二极管,首次采用热蒸发金属铝膜在PbSe表面形成Al-PbSe肖特基结光电二极管,获得了比Pb-PbSe肖特基结更为稳定和理想的电流-电压特性曲线.