1 华东师范大学 极化材料与器件教育部重点实验室 上海200241
2 上海太阳能电池研究与发展中心 上海201201
3 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海200083
薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况、主结势垒高低、背势垒高度等，还可以得出耗尽区宽度以及少子扩散长度等重要参数.通过实验测量与理论分析，给出了薄膜太阳能电池耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)与偏压量子效率的关系，提出了一种新的拟合耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)的方法，探讨了偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用.
偏压量子效率 薄膜太阳能电池 耗尽区宽度 少子扩散长度 voltage dependent quantum efficiency thin film solar cells depletion width minority carrier diffusion length
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
2 上海太阳能电池研究与发展中心, 上海 201201
3 '华东师范大学, 上海 200241
提出了一种对于太阳电池光照条件和暗特性条件下对其伏安特性全段进行拟合提取参数的改进方法.对太阳电池J-V曲线进行分段, 提取每段的4个关键参数: 串联电阻(Rs)、并联电阻(Rsh)、品质因子(n)、反向饱和电流密度(J0).这种方法采用了双结电路模型法, 并以CdS/CdTe薄膜电池为例进行了光照下和暗特性分析, 得到了比单结电流模型更多的参数, 并且具有较高的拟合精度(误差<0.7%).
CdS/CdTe薄膜 太阳电池 伏安特性 双结电路模型 CdS/CdTe thin film solar cell current-voltage characteristics two diode circuit model Rollover Rollover
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海200083
2 上海太阳能电池研究与发展中心，上海201201
采用磁控溅射法，在衬底温度300 ℃制备CdS薄膜，并选取370 ℃、380 ℃、390℃三个温度退火，获得在干燥空气和CdCl2源+干燥空气两种气氛下退火的CdS薄膜.通过研究热处理前后CdS薄膜的形貌、结构和光学性能表明，CdS薄膜在干燥空气中退火，晶粒度、表面粗糙度和可见光透过率变化不明显，光学带隙随退火温度的升高而增大; 在CdCl2源+干燥空气中退火，随退火温度的升高发生明显的再结晶和晶粒长大，表面粗糙度增大，可见光透过率和光学带隙随退火温度的升高而减小.分析得出: 上述性能的改变是由于不同的退火条件对CdS薄膜的再结晶温度和带尾态掺杂浓度改变的结果.
CdS薄膜 磁控溅射 热退火 再结晶 带尾态 CdS thin film magnetron sputtering annealing recrystallization band tail states
1 山东大学物理与微电子学院,济南,250100
2 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
3 山东大学晶体材料研究所,济南,250100
采用不同的几何配置测量了Nd:LuVO4晶体的室温拉曼光谱,根据群论对称性分类计算了该晶体的红外和拉曼活性振动模并与实验结果做了比较,指认了测定的特征谱线.测量并分析了Nd:LuVO4晶体A1g全对称类的高温拉曼光谱,讨论了拉曼频移随温度变化的关系,认为晶体的热膨胀是引起拉曼频移变化的主要原因.
Nd:LuVO4晶体 拉曼光谱 空间群 高温拉曼光谱
