为了获得低噪声铟镓砷（InGaAs）焦平面，需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs（u-InGaAs）吸收层进行探测器的制备。采用闭管扩散方式，实现了Zn元素在u-InGaAs吸收层晶格匹配InP/In_0.53Ga_0.47As异质结构材料中的P型掺杂，利用扫描电容显微技术(SCM)对Zn在材料中的扩散过程进行了研究，结果表明，随着扩散温度和时间增加，p-n结结深显著增加，u-InGaAs吸收层材料的扩散界面相比较高吸收层浓度材料（5×10¹⁶ cm⁻³）趋于缓变。根据实验结果计算了530 ℃下Zn在InP中的扩散系数为1.27×10⁻¹²cm²/s。采用微波光电导衰退法(μ-PCD)提取了InGaAs吸收层的少子寿命为5.2 μs。采用激光诱导电流技术(LBIC)研究了室温下u-InGaAs吸收层器件的光响应分布，结果表明：有效光敏面积显著增大，对实验数据的拟合求出了少子扩散长度L_D为63 μm，与理论计算基本一致。采用u-InGaAs吸收层研制的器件在室温(296 K)下暗电流密度为7.9 nA/cm²，变温测试得到激活能E_a为0.66 eV，通过拟合器件的暗电流成分，得到器件的吸收层少子寿命τ_p约为5.11 μs，与微波光电导衰退法测得的少子寿命基本一致。

Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径，通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位，可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度。采用液相外延技术生长了Au掺杂的HgCdTe外延材料，Au的掺杂浓度为~8×10¹⁵/cm³，通过富Hg退火技术来抑制材料中的Hg空位，Hg空位的浓度控制在1~2×10¹⁵/cm³。变温霍尔测试表明，退火材料中的受主杂质能级为8~12 meV，并且与退火条件相关。采用Au掺杂材料和离子注入成结工艺制备了截止波长为14 μm的甚长波红外焦平面器件，测试结果显示，用Au掺杂取代Hg空位掺杂，可以显著提高红外探测器的光响应率，探测器的内量子效率可以达到95%以上。