1 华东师范大学 极化材料与器件教育部重点实验室 上海200241
2 上海太阳能电池研究与发展中心 上海201201
3 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海200083
薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况、主结势垒高低、背势垒高度等,还可以得出耗尽区宽度以及少子扩散长度等重要参数.通过实验测量与理论分析,给出了薄膜太阳能电池耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)与偏压量子效率的关系,提出了一种新的拟合耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)的方法,探讨了偏压量子效率测试在薄膜太阳能电池特性分析中的应用.
偏压量子效率 薄膜太阳能电池 耗尽区宽度 少子扩散长度 voltage dependent quantum efficiency thin film solar cells depletion width minority carrier diffusion length
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
2 上海太阳能电池研究与发展中心, 上海 201201
3 '华东师范大学, 上海 200241
提出了一种对于太阳电池光照条件和暗特性条件下对其伏安特性全段进行拟合提取参数的改进方法.对太阳电池J-V曲线进行分段, 提取每段的4个关键参数: 串联电阻(Rs)、并联电阻(Rsh)、品质因子(n)、反向饱和电流密度(J0).这种方法采用了双结电路模型法, 并以CdS/CdTe薄膜电池为例进行了光照下和暗特性分析, 得到了比单结电流模型更多的参数, 并且具有较高的拟合精度(误差<0.7%).
CdS/CdTe薄膜 太阳电池 伏安特性 双结电路模型 CdS/CdTe thin film solar cell current-voltage characteristics two diode circuit model Rollover Rollover