1 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所, 红外材器中心,上海 200083
通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence, PL)光谱测量, 发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试, 获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明: (1)在不含Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布, 并因此导致轻、重空穴带分裂；(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程.
CdZnTe单晶 磁光光致发光光谱 应力 轻空穴 CdZnTe crystal magneto-photoluminescence stress shallow-donor
