In气氛退火对Cd0.9Zn0.1Te材料电阻率的影响研究 | 半导体光电 -- 中国光学期刊网

半导体光电, 2014, 35 (5): 846, 网络出版: 2014-10-23

In气氛退火对Cd_0.9Zn_0.1Te材料电阻率的影响研究

Effects of In Diffusion Annealing on the Resistivity of Cd_0.9Zn_0.1Te

隋淞印 ^*何凯盛锋锋华桦

作者单位

中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083

碲锌镉电阻率铟扩散退火扩散系数 Cd0.9Zn0.1Te resistivity In-diffusion annealing diffusion coefficient

知识挖掘

相关论文

1. InAs/GaSb II类超晶格材料的Si离子注入研究

2024年

2. 氧化钛涂层润湿性对免疫成骨性能的影响规律

2023年

3. 层状结构第二相增强BiFeO3-BaTiO3陶瓷电阻率研究

2023年

4. 固体浮力材料应力-吸水率耦合

2023年

5. 基于接触电阻的水泥基材料裂缝自修复效果定量表征方法

2023年

6. 大尺寸ZnTe晶体的生长与性能

2023年

7. 石墨烯/硅异质结光电探测器的制备工艺与其伏安特性的关系

2023年

8. 6H-SiC中子辐照肿胀高温回复及光学特性研究

2023年

9. 两步退火法对硫化铅薄膜光电性能的影响

2023年

10. NJFET器件饱和电流影响因子及工艺优化研究

2022年

本文相似领域研究进展，

知识服务

本文主要研究领域论文发表情况：

171篇

125篇

47篇

33篇

31篇

17篇

diffusion coefficient

14篇

1篇

1篇

1篇

本文研究领域论文发表情况（统计图）：

隋淞印, 何凯, 盛锋锋, 华桦. In气氛退火对Cd_0.9Zn_0.1Te材料电阻率的影响研究[J]. 半导体光电, 2014, 35(5): 846. SUI Songyin, HE Kai, SHENG Fengfeng, HUA Hua. Effects of In Diffusion Annealing on the Resistivity of Cd_0.9Zn_0.1Te[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2014, 35(5): 846.

论文摘要 Full Text 图 & 表补充材料基本信息知识挖掘 Metrics PDF全文参考文献 & 引文

引用该论文： TXT | EndNote

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务，点击此处了解我们的隐私策略。如您需继续使用本网站，请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。

您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!

快速查询高级查询

最近搜索：

大家在搜：人工智能图像处理光子

热门搜索：机器视觉光通信光纤传感器